Zener diode - translation to ρωσικά
Diclib.com
Λεξικό ChatGPT
Εισάγετε μια λέξη ή φράση σε οποιαδήποτε γλώσσα 👆
Γλώσσα:

Μετάφραση και ανάλυση λέξεων από την τεχνητή νοημοσύνη ChatGPT

Σε αυτήν τη σελίδα μπορείτε να λάβετε μια λεπτομερή ανάλυση μιας λέξης ή μιας φράσης, η οποία δημιουργήθηκε χρησιμοποιώντας το ChatGPT, την καλύτερη τεχνολογία τεχνητής νοημοσύνης μέχρι σήμερα:

  • πώς χρησιμοποιείται η λέξη
  • συχνότητα χρήσης
  • χρησιμοποιείται πιο συχνά στον προφορικό ή γραπτό λόγο
  • επιλογές μετάφρασης λέξεων
  • παραδείγματα χρήσης (πολλές φράσεις με μετάφραση)
  • ετυμολογία

Zener diode - translation to ρωσικά

DIODE THAT ALLOWS CURRENT TO FLOW IN THE REVERSE DIRECTION AT A SPECIFIC VOLTAGE
Zener Diode; Stabilitron; Zehner diode; Xener diode; Zener diodes
  • Current-voltage characteristic of a Zener diode with a breakdown voltage of 3.4 V.
  • Buried Zener structure
  • Temperature coefficient of Zener voltage against nominal Zener voltage.
  • Zener diode shown with typical packages. ''Reverse'' current <math>-i_Z</math> is shown.
  • 55px
  • center

Zener diode         

[zi:nə'daiəud]

электроника

зенеровский или опорный диод

stabilitron         

общая лексика

стабилитрон

Schottky barrier diode         
  • 1N5819]])<ref name=SS14/>
  • 1N5822 Schottky diode with cut-open packaging. The semiconductor in the center makes a [[Schottky barrier]] against one metal electrode (providing rectifying action) and an [[ohmic contact]] with the other electrode.
  • 110px
DIODE WITH A LOW FORWARD VOLTAGE DROP, FORMED BY A SEMICONDUCTOR–METAL JUNCTION
Schottky barrier diode; Schottky Barrier Diode; Silicon carbide diode; Schotky doide; Shottky diode

общая лексика

диод с барьером Шоттки

Ορισμός

Светоизлучающий диод

светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом кристалле с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход), полупроводниковым гетеропереходом (См. Полупроводниковый гетеропереход) либо контактом металл - полупроводник). В С. д. при протекании в нём постоянного или переменного тока в область полупроводника, прилегающую к такому переходу (контакту), инжектируются избыточные носители тока - электроны и дырки; их Рекомбинация сопровождается оптическим излучением. С. д. испускают некогерентное излучение, но, в отличие от тепловых источников света, - с более узким спектром, вследствие чего излучение в видимой области воспринимается как одноцветное. Цвет излучения зависит от полупроводникового материала и его легирования. Применяются соединения типа AIII BV и некоторые другие (например, GaP, GaAs, SiC), а также твёрдые растворы (например, GaAs1-xPx, AlxGa1-xAs, Ga1-xlnxP). В качестве легирующих примесей используются: в GaP-Zn и О (красные С. д.) либо N (зелёные С. д.), в GaAs-Si либо Zn и Te (инфракрасные С. д.). Полупроводниковому кристаллу С. д. обычно придают форму пластинки или полусферы.

Яркость излучения большинства С. д. находится на уровне 103 кд/м2, у лучших образцов С. д. - до 105 кд/м2. Кпд С. д. видимого излучения составляет от 0,01\% до нескольких процентов. В С. д. инфракрасного излучения с целью снижения потерь на полное внутреннее отражение и поглощение в теле кристалла для последнего выбирают полусферическую форму, а для улучшения характеристик направленности излучения С. д. помещают в параболический или конический отражатель. Кпд С. д. с полусферической формой кристалла достигает 40\%.

Промышленность выпускает С. д. в дискретном и интегральном исполнении. Дискретные С. д. видимого излучения используют в качестве сигнальных индикаторов; интегральные (многоэлементные) приборы - светоизлучающие цифро-знаковые индикаторы, профильные шкалы, многоцветные панели и плоские экраны - применяют в различных системах отображения информации (см. Отображения информации устройство), в электронных часах (См. Электронные часы) и калькуляторах. С. д. инфракрасного излучения находят применение в устройствах оптической локации (См. Оптическая локация), оптической связи (См. Оптическая связь), в Дальномерах и т. д. (см. также Оптоэлектроника), матрицы таких С. д. - в устройствах ввода и вывода информации ЭВМ. В ряде областей применения С. д. конкурирует с родственным ему прибором - инжекционным лазером (см. Полупроводниковый лазер), который генерирует когерентное излучение и отличается от С. д. формой кристалла и режимом работы.

Лит.: Берг А., Дин П., Светодиоды, пер. с англ., "Тр. института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике", 1972, т. 60, № 2.

П. Г. Елисеев.

Βικιπαίδεια

Zener diode

A Zener diode is a special type of diode designed to reliably allow current to flow "backwards" (inverted polarity) when a certain set reverse voltage, known as the Zener voltage, is reached.

Zener diodes are manufactured with a great variety of Zener voltages and some are even variable. Some Zener diodes have an abrupt, heavily doped p–n junction with a low Zener voltage, in which case the reverse conduction occurs due to electron quantum tunnelling in the short distance between p and n regions − this is known as the Zener effect, after Clarence Zener. Diodes with a higher Zener voltage have lighter doped junctions which causes their mode of operation to involve avalanche breakdown. Both breakdown types are present in Zener diodes with the Zener effect predominating at lower voltages and avalanche breakdown at higher voltages.

They are used to generate low-power stabilized supply rails from a higher voltage and to provide reference voltages for circuits, especially stabilized power supplies. They are also used to protect circuits from overvoltage, especially electrostatic discharge.

Μετάφραση του &#39Zener diode&#39 σε Ρωσικά